特許

J-GLOBAL ID：200903073264999084

薄膜太陽電池の形成方法

発明者： 下田 寛嗣 ,  一ノ瀬 博文
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250710
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092851
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 選択精度に優れ、長期的にも安定なエッチングパターンを形成し、光起電力素子のシャントや外観不良等の課題を解決することにより、良好な特性及び高い歩留りを有する薄膜太陽電池の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の薄膜太陽電池の形成方法は、少なくとも導電性基板101上に、半導体層102、透明導電体層103が順次積層された薄膜太陽電池の形成方法において、電解処理により前記半導体層に内在する短絡電流通路104を除去した後、エッチング処理により前記透明導電体層103にエッチングパターンを形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも導電性基板上に、半導体層、透明導電体層が順次積層された薄膜太陽電池の形成方法において、電解処理により前記半導体層に内在する短絡電流通路を除去した後、エッチング処理により前記透明導電体層にエッチングパターンを形成することを特徴とする薄膜太陽電池の形成方法。