特許

J-GLOBAL ID：200903073265401417

基板処理方法およびそのシステム

発明者： 後藤 日出人 ,  末正 智希 ,  稲沢 剛一郎 ,  森 宏幸 ,  丹生谷 貴行
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-221898
公開番号（公開出願番号）：特開2003-035962
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 金属層の酸化を防止することができ、かつ、処理工程が簡易な基板処理方法およびそのシステムを提供する。【解決手段】 ウエハに形成したCu配線層の上にSiNx層、SiO2層を順次形成し、レジスト層をマスクとしてSiO2層およびSiNx層をドライエッチングする。このとき、SiO2層およびSiNx層をドライエッチングにより一度にエッチングし(エッチング工程 S106)、ついで、残存するレジスト層の表面に発生したレジスト硬化層をO2プラズマにより除去し(部分アッシング工程 S108)、最後に、レジスト硬化層を除去した後のレジスト層およびエッチング箇所の側壁に生成した残滓を薬液を用いたウエット洗浄により除去する(洗浄工程 S112)。

請求項（抜粋）：

上面に金属層が形成され、さらに該金属層上にレジスト層が形成され、該金属層の少なくとも一部が露出した基板の該レジスト層の表面に生成したレジスト硬化層をプラズマを用いて除去する部分アッシング工程と、該レジスト硬化層を除去した後の該レジスト層を薬液を用いて除去する洗浄工程とを有することを特徴とする基板処理方法。

IPC (5件)：

G03F 7/42 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 645 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

G03F 7/42 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H

Fターム (25件)：

2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096GA37 ,  2H096JA04 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  2H096LA09 ,  5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BB07 ,  5F004BB18 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB26 ,  5F004EA40 ,  5F004FA08 ,  5F046MA12 ,  5F046MA17