特許
J-GLOBAL ID：200903073266281288
2-6族化合物半導体p形電極構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-012183
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224230
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 イオウ(S)またはセレン(Se)を含むp形2-6族化合物半導体へのホールの注入を容易にし、p電極の抵抗を小さくする。【構成】 イオウ(S)またはセレン(Se)を含むp形2-6族化合物半導体からなるp形2-6半導体層12に隣接して、AlGaAsからなるp形3-5半導体層13を有している。AlGaAs混晶の価電子帯端のエネルギー位置は2-6半導体と金属のフェルミレベルの中間にあり、p形3-5半導体層13中ではp形2-6半導体層12界面で低く、p電極14界面で高くなっている。p形3-5半導体層13の導入により各界面での障壁が小さくなり、ホールの注入が容易になり、p電極の抵抗が大幅に減少する。このため発光ダイオードの印加電圧は低くなり、強い青色発光が得られる。
請求項（抜粋）：
イオウ(S)またはセレン(Se)を含むp形2-6族化合物半導体材料からなるp形2-6半導体層を有する半導体装置において、前記p形2-6半導体層に隣接して、これと格子長が等しいか、または格子長が異なる臨界膜厚以下の、p形Al<SB>x </SB>Ga<SB>1 - x </SB>As(0≦x<1)半導体からなるp形3-5半導体層を有し、前記p形3-5半導体層上にp電極を有し、前記p形3-5半導体層のAl組成が前記p電極部で零または特定の値であり、前記p形2-6半導体層に近着くにつれ連続的にまたは階段状に増加していることを特徴とする2-6族化合物半導体p形電極構造。
IPC (4件)：
H01L 21/363
, H01L 21/28 301
, H01L 33/00
, H01S 3/18
