低ターンオン電圧InPショットキー装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石川泰男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-500343
公開番号（公開出願番号）：特表2003-501809
出願日： 2000年05月26日
公開日（公表日）： 2003年01月14日
要約：

【要約】ショットキーダイオード、及びその製造方法。ショットキーダイオードは、InP材料(1)の上に製造され、InxAl1-xAsを含むか(ここで、x>0.6)チャープ段階変更超格子を含むショットキー層(9)を使用する。チャープ段階変更超格子において、超格子の連続する周期は、漸進的に少なくなるGaInAs及び漸進的に多くなるAlInAsを含み、AlInAsの増加は、最後の周期(アノード金属に隣接する)の中のAlInAsの割合が80%を超過する前に終わる。そのような製造は、製造パラメータを調節することによって、或る範囲内へ予測的に設定された低ターンオン電圧を有するInPベースのショットキーダイオードが製造される。

請求項（抜粋）：

カソードコンタクト層と、ショットキーアノードメタライゼーションに隣接した半導体ショットキー層とを含むショットキーダイオードであって、前記ショットキー層は、カソードコンタクト層に最も近い最初の層周期から、アノードメタライゼーションに最も近い最後の層周期までの、複数の層周期を有する超格子であり、各々の層周期は、或る厚さを有し、そして、或る厚さを有するGaInAsの第1のサブレイヤ及び或る厚さを有するAlInAsの第2のサブレイヤを含んでおり、そして、各々の層周期は、GaInAsのAlInAsに対する或る割合を有しており、第1及び第2のサブレイヤの厚さは、GaInAsのAlInAsに対する割合が隣接した層周期の間で段階的に変化するように、隣接した層周期の間で変化しており、そして、前記最後の層周期におけるAlInAsの厚さが、前記最後の層周期の厚さの80%よりも小さいショットキーダイオード。

Fターム (8件)：

4M104AA04 , 4M104BB10 , 4M104BB15 , 4M104CC03 , 4M104FF13 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104HH17

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