特許

J-GLOBAL ID：200903073268234457

半導体製造・検査装置用セラミック基板

発明者： 平松 靖二 ,  伊藤 康隆
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 安富 康男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-174587
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133196
出願日： 2000年02月08日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 セラミック基板内部のそれぞれの部分で要求される諸特性、すなわち、焼結性、隠蔽性、熱伝導性、体積抵抗率等を満足することができ、ウエハプローバや静電チャック等として要求される機能を充分に発揮することができる半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供する。【解決手段】 半導体ウエハを接触させて載置するか、または一定の間隔を保って保持して加熱するための半導体製造・検査装置用セラミック基板であって、上記セラミック基板は、カーボンを含有し、上記セラミック基板の内部に導電体として抵抗発熱体が形成されるとともに、上記抵抗発熱体間のセラミック層のカーボン濃度は、その他の部分のカーボン濃度よりも低いことを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを接触させて載置するか、または一定の間隔を保って保持して加熱するための半導体製造・検査装置用セラミック基板であって、前記セラミック基板は、カーボンを含有し、前記セラミック基板の内部に導電体として抵抗発熱体が形成されるとともに、前記抵抗発熱体間のセラミック層のカーボン濃度は、その他の部分のカーボン濃度よりも低いことを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。

IPC (7件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68 ,  H05B 3/10 ,  H05B 3/20 393 ,  H05B 3/74 ,  C04B 35/581

FI (7件)：

H01L 21/02 Z ,  H01L 21/68 R ,  H05B 3/10 C ,  H05B 3/20 393 ,  H05B 3/74 ,  H01L 21/302 101 G ,  C04B 35/58 104 H

Fターム (33件)：

3K034AA02 ,  3K034BB06 ,  3K034BB14 ,  3K034BC17 ,  3K034JA10 ,  3K092PP09 ,  3K092QA05 ,  3K092QB44 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF27 ,  3K092VV15 ,  3K092VV22 ,  4G001BA09 ,  4G001BA36 ,  4G001BA78 ,  4G001BB09 ,  4G001BB36 ,  4G001BB60 ,  4G001BC22 ,  4G001BC32 ,  4G001BC42 ,  4G001BD38 ,  4G001BE32 ,  5F004AA16 ,  5F004BB22 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA16 ,  5F031PA11