特許

J-GLOBAL ID：200903073268596405

強誘電体記憶素子及びその製造方法

発明者： 長田 昌也 ,  工藤 淳
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-210135
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040800
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 導電性プラグとの間に良好なコンタクト特性を有する下部電極構造を持つ、スタック型構造の強誘電体記憶素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明による強誘電体記憶素子は、上部電極148、強誘電体膜146及び下部電極144を有するキャパシタ140と、該下部電極144の下に位置し、該下部電極144を選択トランジスタ20に電気的に接続するための導電性プラグ30と、該導電性プラグ30と該下部電極144との間に形成された、それらの間の拡散反応を防ぐ拡散バリア膜143と、を備えており、該導電性プラグ30と該拡散バリア膜143との間に、第1の金属元素を含むシリサイド層142が形成されている。

請求項（抜粋）：

上部電極、強誘電体膜及び下部電極を有するキャパシタと、該下部電極の下に位置し、該下部電極を選択トランジスタに電気的に接続するための導電性プラグと、該導電性プラグと該下部電極との間に形成された、それらの間の拡散反応を防ぐ拡散バリア膜と、を備えており、該導電性プラグと該拡散バリア膜との間に、第1の金属元素を含むシリサイド層が形成されている、強誘電体記憶素子。

IPC (7件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (37件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD41 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104FF21 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F001AA17 ,  5F001AD12 ,  5F001AG01 ,  5F001AG30 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083FR06 ,  5F083FR07 ,  5F083GA02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40