特許
J-GLOBAL ID：200903073270153855
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-216891
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055514
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、被堆積物の材料、温度、表面状態によらず堆積初期の金属原子組成を確定させ、0.1μm程度の薄膜においても界面の影響のない均一な特性を持つ誘電体薄膜を形成し、かつ、白金などの、薄膜堆積、微細加工の自由度の小さな貴金属を用いることなく、強誘電体と電極界面に存在する酸化物のコンデンサが容量に与える影響を除いた小型大容量のコンデンサを作製し、小型大容量の半導体記憶装置を提供することにある。【構成】複数種の金属元素を、目的とする誘電体の組成にあわせて含有する有機金属を用い、薄膜堆積を行う。コンデンサを形成する際の電極としては、酸化後に導電性を示す物質を用いる。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1の金属原子と該第1の金属原子と異なる第2の金属原子とを含む誘電体薄膜の形成方法において、該第1及び第2の金属原子を少なくとも含む有機分子化合物を原料とすることを特徴とする誘電体薄膜の形成方法。
引用特許：
前のページに戻る
