特許

J-GLOBAL ID：200903073274349002

欠陥密度の低いTi-Si-N及びTi-B-Nベースの絶縁保護性障壁膜の製法

発明者： ジオン - ピン ル
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-301179
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189491
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 欠陥密度の低い絶縁保護性のTi-Si-N膜の製法を提供する。【解決手段】 Ti-Si-N又はTi-B-N用CVD法であって、単一供給ガス(好ましくはTDMAT)がチタンと窒素源の役割を果し、もう1つの供給ガスを珪素又は硼素源として用いる。これにより気相粒子核生成が回避され、一方、良好な絶縁保護性が得られる。所定の層厚が付着されたとき、チタン/窒素又はチタン/硼素源の流れを停止したのち、珪素又は硼素供給ガスをある期間連続して流す。これにより、欠陥密度の低く、Si又はBに富む、絶縁保護性の表面を有するTi-N膜が形成される。第2の実施態様では、単一供給ガス、例えばTDMATを熱分解してTi-N層を形成させる。付着後の焼鈍を珪素又は硼素を供給するガス中で行い、これらの物質を層中に取込ませる。この層中への珪素又は硼素の取込みは膜中への酸素吸収を最小にし、形成膜を安定化させる。

請求項（抜粋）：

(a)半導体材料の少なくとも1つの実質的にモノリシックな物体を含む基板を準備する工程と、(b)チタンと窒素を含む雰囲気中でCVDで絶縁保護性層を付着させる工程と、(c)上記絶縁保護性層を付着させた後で、上記絶縁保護性層を珪素又は硼素を含有する雰囲気に露出させる工程とを含む薄膜形成法であって、前記工程(c)により上記絶縁保護性層上に珪素又は硼素濃度の高い表面を形成させる薄膜形成法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 B