特許

J-GLOBAL ID：200903073274721254

絶縁材料によってEL層の成膜欠陥が被覆されたEL素子とその製造方法

発明者： 新 井 浩 次 ,  鶴 岡 美 秋
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203105
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017262
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 EL層の成膜欠陥による不均一発光、誘電破壊等を防止したEL素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基体と、前記基体上に形成された第1電極と、前記第1電極上に形成されたEL層と、前記EL層上に形成された第2電極から少なくともなるEL素子であって、前記EL層に存在する成膜欠陥部が、絶縁性の電着樹脂層で選択的に被覆される。

請求項（抜粋）：

基体と、前記基体上に形成された第1電極と、前記第1電極上に形成されたEL層と、前記EL層上に形成された第2電極から少なくともなるEL素子であって、前記EL層に存在する成膜欠陥部が、絶縁性の電着樹脂層で選択的に被覆されていることを特徴とする、EL素子。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22

FI (3件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z

Fターム (10件)：

3K007AB08 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01