特許

J-GLOBAL ID：200903073275561633

窒化炭素薄膜の形成方法

発明者： 岡田 拓也 ,  山田 鈴弥 ,  和田 徹也
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294807
公開番号（公開出願番号）：特開平8-158039
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月18日
要約：

【要約】【目的】 高周波スパッタリング又はDCスパッタリングを行うのみでN/C比が1近傍の高N含有率のCNx 薄膜をその成膜速度を高めて形成すること。【構成】 グラファイト又はカーボンのターゲットにN2 ガスをその分圧50以上250未満mTorr、出力密度10〜35W/cm2 にして高周波スパッタリング又はDCスパッタリングすることを特徴とする窒化炭素薄膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

グラファイト又はカーボンのターゲットにN2 ガスをその分圧50以上250未満mTorr、出力密度10〜35W/cm2 にして高周波スパッタリング又はDCスパッタリングすることを特徴とする窒化炭素薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ,  C01B 21/082 ,  C04B 35/52