特許
J-GLOBAL ID：200903073275760512
オリフィスプレートの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096764
公開番号（公開出願番号）：特開平5-286141
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月02日
要約：
【要約】【目的】 高品質で低コストなオリフィスプレートを多量に製造する。【構成】 原盤50として、導電性のNi基板20上に非導電性のSiO2パターン22を形成し、このSiO2パターン22とNi基板20との段差部分をNi基板20と同様の導電性物質により埋めたものを作製する。そして、この原盤50の表面に、離型被膜26を形成した後、Ni等の電鋳膜28を析出させる。電鋳膜28を原盤50より剥離することにより、オリフィス11を備えたオリフィスプレート10が作製される。
請求項（抜粋）：
導電性基板の表面上に非導電性物質を被着させる工程と、前記非導電性物質上に所望のパターン形状にフォトレジストパターンを形成する工程と、露出している前記非導電性物質を前記フォトレジストパターン形状に前記基板が露出するまでエッチングする工程と、前記フォトレジストパターンを除去する工程と、前記基板の導電性部分が露出している部分に、前記非導電性物質の上面と略同一面となるように導電性物質を形成する工程と、前記非導電性物質及び導電性物質を覆う被膜を形成する工程と、前記被膜の表面上に電鋳膜を析出させる工程と、前記基板と非導電性物質と導電性物質とからなる原盤を剥離する工程とからなることを特徴とするオリフィスプレートの製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
