特許

J-GLOBAL ID：200903073288648207

メモリ装置

発明者： 磯野 靖雄
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-271387
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110009
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、強誘電体薄膜キャパシタの電極にアルミニウム電極を用いて形成する際に、アルミニウムが強誘電体薄膜中への拡散することを阻止し、強誘電特性の劣化を防止したメモリ装置を提供する。【構成】本発明のメモリ装置は、PZT等からなる強誘電体膜(強誘電体キャパシタ)8の一方面側にアルミニウム上部電極9が形成され、他方面側に絶縁体膜若しくは窒化膜等からなる緩衝膜7を介在させてアルミニウム下部電極6が形成される構造を有し、メモリ装置形成時の強誘電体薄膜中への電極の金属拡散を阻止し、強誘電特性に影響を与えない構造を有する。

請求項（抜粋）：

情報を分極状態として格納する強誘電体薄膜と、前記強誘電体膜の一方面側に形成された第1電極と、前記強誘電体膜の他方面側に形成された強誘電性を有さない誘電体材料からなる緩衝膜と、強誘電体膜が接合する前記緩衝膜の反対面に形成される第2電極とで構成される強誘電体薄膜キャパシタと、前記強誘電体薄膜キャパシタに誘電体膜の両面を電極で挟んだロードキャパシタ及びトランジスタのいずれか一方を直列に接続して構成することを特徴とするメモリ装置。