特許
J-GLOBAL ID：200903073293232680
薄膜構造体およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132602
公開番号（公開出願番号）：特開2000-322708
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 従来の薄膜構造体では、バンプの電極層との平坦面がCuによって形成されていたが、薄膜導電層上に酸化層が形成されたときの酸化層の厚さが予測できないために、イオンミーリングなどによって、酸化層を確実に除去することが困難であった。【解決手段】 バンプ24の電極層26との平坦面24cが、Ni層24bの露出面であるので、イオンミーリングや逆スパッタ法によって、平坦面から酸化層を確実に削り取ることができる。
請求項（抜粋）：
導電層の上に絶縁層が積層され、前記導電層の表面に形成されたバンプが前記絶縁層表面に露出し、且つ前記バンプ表面と前記絶縁層表面とが平坦面とされた薄膜構造体において、前記バンプは、導電性材料層と、前記導電性材料層の表面を覆い且つ前記導電性材料層よりも酸化しにくい保護層とからなり、前記保護層が、バンプの前記平坦面に現れていることを特徴とする薄膜構造体。
IPC (3件)：
G11B 5/31
, H01F 17/00
, H01F 41/04
G11B 5/31 F
, H01F 17/00 Z
, H01F 41/04 C
5D033BA39
, 5D033CA05
, 5D033DA01
, 5D033DA04
, 5D033DA08
, 5E062DD10
, 5E062FG07
, 5E070AA20
, 5E070AB10
, 5E070EA01
