特許

J-GLOBAL ID：200903073294690347

バイナリコーディング法を利用した半導体素子の位置認識方法

発明者： 李 謂洙
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 小堀 益
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-301390
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112101
出願日： 1992年11月11日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 ウェーハ上に特定の半導体素子を製造した後やパッケージ工程を完了した後にウェーハ内半導体素子の位置をバイナリコーディング法を利用して認識する方法を提供する。【構成】 ウェーハ内の各独立されたチップにそれぞれの固有認識番号を付与し、付与されたチップそれぞれの固有認識番号に対応するパターンを有するマスクを製作して、半導体素子の製造工程中特定位置の特定層にマスクパターンを形成する。これを、パッケージ工程後、固有認識番号を認識してウエーハ内半導体素子の位置を知る。【効果】 不良素子のウェーハ内での位置依存性を容易に検出でき、不良原因の除去及び改善が可能になる。

請求項（抜粋）：

ウェーハ内の各独立されたチップにそれぞれ相違する固有認識番号を付与する第l段階と、前記各チップの固有認識番号に対応するパターンを有するマスクを製作する第2段階と、前記マスクを用いて半導体素子の製造過程中ウェーハ上に前記マスクパターンを形成させる第3段階と、前記ダイ分離された各チップの前記固有認識番号を解読してウェーハ内での位置を認識する第4段階とを含んでなることを特徴とする半導体素子の位置認識方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-050729
  
• 特開昭61-142734