特許
J-GLOBAL ID：200903073298302295
LEP電極支持機構
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-198002
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029893
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 回転電界により電子を加速しプラズマを生成するドライエッチング装置において、チャンバ内壁と電極との間に局所的放電の発生を防ぎ、チャンバ容積を変えずまた大直径の高価なスペーサを必要とせずに、LEP電極と基板間の距離を変更できる機構を提供する。【構成】 チャンバ1の上蓋や底板の高さは変化させず、チャンバ上蓋の上から吊り下げ棒12でLEP電極2を吊り下げる機構とし、この電極吊り下げ棒の周りに小さいスペ-サを設け上蓋11に固定する。壁に固定しないので電極と壁との間で放電集中が起らない。このスペ-サの高さを変えてLEP電極2とウエハの距離を変えることができる。
請求項（抜粋）：
内壁面に100μm以上の厚さの絶縁体を持つ筒型のチャンバと、チャンバの底部に固定されるベ-スチャンバと、n個の穴を有しチャンバの上部を被蓋する上蓋と、チャンバ内でベ-スチャンバの上に置かれる半導体ウエハを戴置すべき下部電極と、チャンバ内に互いに対向するように回転対称の位置に設けられるn枚のLEP電極とよりなり、チャンバ内にエッチングガスを導入し、LEP電極に掛けた位相の異なる高周波電圧によって回転電界を発生させガスをプラズマとして、ウエハをエッチングするようにしたLEPドライエッチング装置において、絶縁体を介して上蓋に固定した吊り下げ棒によりLEP電極を上から支持したことを特徴とするLEP電極支持機構。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
