特許
J-GLOBAL ID：200903073299431242
金属ベ-スを用いた半導体パッケ-ジ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015389
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216287
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 樹脂と金属との熱膨張係数の差によるそりを低減し得る半導体パッケージの構造を提供すると共に加工による半導体パッケージの変形を防止し、更にそりの矯正も可能な半導体パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】 多数の半導体パッケージを採取可能な大きさの金属板状材と樹脂板状材と接着剤により貼り合わせ、双方を同時にプレス抜きすることにより、金属ベースと該金属ベースに貼着された樹脂基板とを有する半導体パッケージに於いて、金属ベースをアルミニウムベースとした場合、半導体パッケージの一辺の長さをX(mm)、金属ベースの厚さと樹脂基板の厚さとの比(金属ベース厚/樹脂基板厚)をY、金属ベースの20°Cのときの線膨張係数を24μm/°C以下として、Y≧0.04X+0.92とし、金属ベースを銅ベースとした場合、その20°Cのときの線膨張係数を17μm/°C以下として、Y≧0.03X-0.43とすることで、そりの発生を許容範囲に抑制できる。
請求項（抜粋）：
多数の半導体パッケージを採取可能な大きさの金属板状材と樹脂板状材とを貼り合わせ、双方を同時にプレス抜きすることにより、アルミニウムベースと該アルミニウムベースに貼着された樹脂基板とを有する半導体パッケージであって、当該半導体パッケージの一辺の長さをX(mm)、前記アルミニウムベースの厚さと前記樹脂基板の厚さとの比(アルミニウムベース厚/樹脂基板厚)をY、前記アルミニウムベースの20°Cのときの線膨張係数を24μm/°C以下として、Y≧0.04X+0.92となっていることを特徴とする金属ベースを用いた半導体パッケージ。
FI (2件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/12 L
