特許

J-GLOBAL ID：200903073300515765

ホットキャリア劣化シミュレーション方法、半導体装置の製造方法、およびコンピュータ可読記録媒体

発明者： 山地 充
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-064075
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323709
出願日： 2000年03月08日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 絶縁ゲート型トランジスタのホットキャリア劣化シミュレーション方法およびシミュレーション結果を用いた半導体装置の製造方法に監視、劣化特性を広い範囲のストレス条件およびバイアス条件において精度良くシミュレーションする。【解決手段】 劣化要因として、エネルギの深い界面準位とエネルギの浅い界面準位の二種類の界面準位の少なくとも二つを考慮して劣化特性の計算を行う。

請求項（抜粋）：

少なくとも深い界面準位と浅い界面準位とを使って特性の劣化を計算する段階を含むことを特徴とする、絶縁ゲート型トランジスタのホットキャリア劣化シミュレーション方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/00

FI (2件)：

H01L 29/78 301 Z ,  H01L 29/00

Fターム (3件)：

5F040DA00 ,  5F040DA17 ,  5F040EA00