特許

J-GLOBAL ID：200903073301333709

レジストパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  梅村 光雄
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165164
公開番号（公開出願番号）：特開平6-348036
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【構成】 コントラスト増強フォトリソグラフィーにおいて、コントラスト増強膜を下記式(1)のアリールニトロン化合物を用いて行うと共に、露光をコヒーレントファクタδが0.65〜0.85の縮小投影露光機によって行う。【化1】(但し、式中R1、R2及びR3は互いに同一又は異種のアルキル基、アリール基又は水素原子、R4乃至R8は互いに同一又は異種のアルキル基、水素原子又は-COOR(Rは水素原子又はアルキル基)であるが、R4乃至R8の少なくとも1つは-COORである。XはR9O-で表されるアルコキシ基、R10R11N-で表されるジアルキルアミノ基又は水素原子であり、R9はアルキル基、R10及びR11は互いに同一又は異種のアルキル基である。nは0、1又は2の値を有する。)【効果】 本発明のレジストパターンの形成方法によれば、レジストのプロファイルを矩形性良く形成できる共に、フォーカスマージンに優れたレジストパターンを形成することができる。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハーなどの基盤にレジストパターンを形成する方法において、基盤に非水溶性レジスト膜を形成する工程、該レジスト膜上に下記式(1)で表されるアリールニトロン化合物を含有するコントラスト増強剤によりコントラスト増強膜を形成する工程、上記レジスト膜を上記コントラスト増強膜形成前又は形成後にプリベークする工程、上記レジスト膜及びコントラスト増強膜をコヒーレントファクタが0.65〜0.85の縮小投影露光機によって光を露光する露光工程、該露光後にポストエクスポジュアーベークし、該べーク後にコントラスト増強膜を除去する工程又は上記露光後にコントラスト増強膜を除去し、上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程、及びレジスト膜を現像する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。【化1】(但し、式中R1、R2及びR3は互いに同一又は異種のアルキル基、アリール基又は水素原子、R4乃至R8は互いに同一又は異種のアルキル基、水素原子又は-COOR(Rは水素原子又はアルキル基)であるが、R4乃至R8の少なくとも1つは-COORである。XはR9O-で表されるアルコキシ基、R10R11N-で表されるジアルキルアミノ基又は水素原子であり、R9はアルキル基、R10及びR11は互いに同一又は異種のアルキル基である。nは0、1又は2の値を有する。)

IPC (4件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/095 501 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027