特許
J-GLOBAL ID：200903073303500513
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-285211
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148562
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 層間絶縁膜としてSiOF膜を用いつつ、高性能・高信頼性の半導体装置を得る。【構成】 層間絶縁膜であるSiOF膜の少なくとも上層もしくは下層に、フッ化水素(HF)及びフッ素(F)の拡散を防止しかつ水分吸収性の低い膜を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の層間絶縁膜として、フッ素(F)を含むシリコン酸化膜を用いる半導体装置であって、前記フッ素(F)を含むシリコン酸化膜からなる第一の絶縁膜の上層もしくは下層の少なくとも一方に、フッ化水素(HF)及びフッ素(F)の拡散を防止しかつ水分吸収性の低い膜を、第二の絶縁膜として有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
