特許

J-GLOBAL ID：200903073305283340

半導体部材

発明者： 米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285165
公開番号（公開出願番号）：特開平9-121039
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】 絶縁体上に結晶性が単結晶ウエハー並に優れた単結晶層を有する半導体部材を提供すること。【解決手段】 絶縁性物質で構成された領域上に非多孔質シリコン単結晶半導体領域を配した半導体部材であって、前記非多孔質シリコン単結晶半導体領域における転移欠陥密度が2.0×104/cm2以下、キャリアーのライフタイムが5.0×10-4sec以上であることを特徴とする半導体部材。更に、前記シリコン単結晶半導体領域の厚みの最大値と最小値の差が前記最大値の10%以下であることを特徴とする半導体部材。

請求項（抜粋）：

絶縁性物質で構成された領域上に非多孔質シリコン単結晶半導体領域を配した半導体部材であって、前記非多孔質シリコン単結晶半導体領域における転移欠陥密度が2.0×104/cm2以下、キャリアーのライフタイムが5.0×10-4sec以上であることを特徴とする半導体部材。

IPC (6件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/762

FI (6件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 Z ,  H01L 21/306 B ,  H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-104276