特許

J-GLOBAL ID：200903073305606939

ダイシング装置およびダイシング方法

発明者： 井上 要
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-250608
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068677
出願日： 2001年08月21日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウェハーをダイシングする際にシリコンダストがシリコンウェハーに付着することを防ぐ。【解決手段】 シリコンウェハー2はブレード4によりカットされる。このカット中のシリコンウェハー2に、切削洗浄水ノズル7から洗浄水を噴射する。この切削洗浄水ノズル7から噴射する洗浄水には、微小気泡発生混合部6で無数の微小気泡を混合させる。これにより、洗浄水に含まれる微小気泡はシリコンウェハー2に吹き付けられることで破裂し、超音波を発生する。この超音波による振動で、シリコンダストを付着しにくくするとともに、付着しているシリコンダストを浮き上がらせ、容易に洗い流せるようにする。

請求項（抜粋）：

ウェハーを半導体チップのサイズにカットするダイシング装置において、微小気泡を混合させた洗浄水を前記ウェハーに吹き付ける洗浄手段を備えたことを特徴とするダイシング装置。