特許

J-GLOBAL ID：200903073306748923

フォトマスク欠陥修正方法

発明者： 鈴木 豊
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-268185
公開番号（公開出願番号）：特開2000-098591
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 フォトマスク等の残渣欠陥を高精度に修正することができる方法。【解決手段】 Cr等の金属、MoSi等の金属化合物又はSiO2 等の透明状物質からなるフォトマスクパターン上の残渣欠陥5の形状を原子間力顕微鏡の走査探針6を用いて計測し、その形状計測結果に基づいて残渣欠陥5の形状に応じた適量の集束イオンビーム7を照射することにより残渣欠陥5をエッチング除去する。エッチングを促進するアシストガス8を修正部へ同時に供給することが望ましい。

請求項（抜粋）：

Cr等の金属、MoSi等の金属化合物又はSiO2 等の透明状物質からなるフォトマスクパターン上の残渣欠陥の形状を3次元微細形状測定装置を用いて計測し、その形状計測結果に基づいて前記残渣欠陥の形状に応じた適量の集束イオンビームを照射することにより前記残渣欠陥をエッチング除去することを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 V ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 502 P