特許
J-GLOBAL ID:200903073308386654

太陽電池素子基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-047609
公開番号(公開出願番号):特開2002-151713
出願日: 2001年02月23日
公開日(公表日): 2002年05月24日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】多結晶シリコンの基板作製において、さらなる低コスト化・少資源の有効利用を図りつつも、性能面での特性向上の要求事項を満足する太陽電池素子基板の製造方法を提供する。【解決手段】貫通孔を有する冶具に、この貫通孔の両端より上パンチ9Aと下パンチ9Bを挿入するように成した焼成用具を用いて、上記貫通孔の内部にサンプル粉体7を充填し、次いでパンチでもって粉体を加圧するとともに、その加圧軸方向にパルス電流を流して、貫通孔の内部に放電プラズマを発生させる工程を経て、前記サンプル粉体7より多結晶体として焼結する太陽電池素子基板の製造方法。
請求項(抜粋):
シリコン結晶粒子又はシリサイド結晶粒子の多結晶焼結体から成るとともに、これら結晶粒子及び各結晶粒子間の粒界にわたって微小な空孔を光散乱が生じるよう分散せしめたことを特徴とする太陽電池素子基板。
Fターム (5件):
5F051AA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA11 ,  5F051GA14 ,  5F051GA20

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