特許

J-GLOBAL ID：200903073309358670

Bi系強誘電体薄膜形成用材料、Bi系強誘電体素子、およびBi系強誘電体素子の製造方法

発明者： 佐藤 善美 ,  川上 敦史 ,  熊谷 智弥
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-216353
公開番号（公開出願番号）：特開2002-029753
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月29日
要約：

【要約】【課題】 低温焼成条件、または急速加熱処理法による短時間焼成条件下で、飽和特性に優れ、角形比の良いヒステリシス曲線を有し、分極値(Pr値)が高い、ヒステリシス特性の改善したBi系強誘電体素子を製造可能な材料、および該材料を用いたBi系強誘電体素子、並びにその製造方法を提供する。【解決手段】 ハロゲン元素を含有することを特徴とするBi系強誘電体薄膜形成用材料、およびこれを適用して形成したBi系強誘電体薄膜、並びに該薄膜を用いて急速加熱処理法により製造するBi系強誘電体素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

ハロゲン元素を含有することを特徴とするBi系強誘電体薄膜形成用材料。

IPC (4件)：

C01G 35/00 ,  H01B 3/12 318 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105

FI (4件)：

C01G 35/00 C ,  H01B 3/12 318 ,  H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (47件)：

4G048AA04 ,  4G048AA05 ,  4G048AA06 ,  4G048AA08 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF27 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH20 ,  5F083FR01 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5G303AA10 ,  5G303AB15 ,  5G303BA07 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CA09 ,  5G303CA11 ,  5G303CB03 ,  5G303CB05 ,  5G303CB06 ,  5G303CB09 ,  5G303CB10 ,  5G303CB13 ,  5G303CB14 ,  5G303CB20 ,  5G303CB21 ,  5G303CB25 ,  5G303CB32 ,  5G303CB33 ,  5G303CB35 ,  5G303CB37 ,  5G303CB43 ,  5G303CD04 ,  5G303DA02