特許

J-GLOBAL ID：200903073312550418

半導体装置の製造方法

発明者： 島田 康憲 ,  森本 弘
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001741
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047708
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 液晶表示装置等の半導体装置において、タンタル薄膜の比抵抗を十分小さくできるようにする。しかも、簡潔なプロセスで耐酸性が高いタンタル薄膜を成膜できるようにして、半導体装置の信頼性の向上、歩留りの向上およびコストダウンを図る。【構成】 スパッタリングガスとして窒素を反応性ガスとして混入したクリプトンガスを用いると共に、該スパッタリングガスのガス圧力と、ターゲットと基板の間の距離との積をタンタル薄膜の比抵抗の低抵抗が図れる0.01m・Pa〜0.08m・Paの間に設定する。

請求項（抜粋）：

タンタル薄膜をスパッタリング法で成膜して電極又は電極配線を形成する半導体装置の製造方法において、スパッタリングガスとして窒素を反応性ガスとして混入したクリプトンガスを用いると共に、該スパッタリングガスのガス圧力と、ターゲットと基板の間の距離との積を0.01m・Pa〜0.08m・Paの間に設定した半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784