特許

J-GLOBAL ID：200903073314020734

シリコンナノ粒子誘導放出装置

発明者： ネイフィー,ムニア エイチ ,  アッカカイア,オスマン ,  ベリー,ニコラス
出願人/特許権者： ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ
代理人 (1件)： 斉藤 武彦 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-533453
公開番号（公開出願番号）：特表2003-528445
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2003年09月24日
要約：

【要約】本発明は、元素状態で存在するシリコン放出装置に関する。本発明による装置は、誘導放出が生成される物質として元素状態で存在するシリコンナノ粒子を使用する。シリコンナノ粒子は、効率よく放出を生成し、そして、励起に応じてゲインミディアムとしての機能を果たす。およそ1ナノメートル、そして、約2ナノメートルを超えない大きさにされる本発明のシリコンナノ粒子は、効率のよい

請求項（抜粋）：

励起源(12)と、 前記励起源と連係し、そして、それに応じて誘導放出を生成し、1000中の1部 (one part per thousand) であり、1nm以下である1nmシリコンナノ粒子(10)と、により特徴付けられる、誘導放出源。

IPC (3件)：

H01S 3/16 ,  C25F 3/12 ,  H01S 3/06

FI (3件)：

H01S 3/16 ,  C25F 3/12 ,  H01S 3/06 Z

Fターム (5件)：

5F072AB13 ,  5F072AK10 ,  5F072KK06 ,  5F072PP03 ,  5F072RR03