特許
J-GLOBAL ID：200903073314179016
イオン粒子を用いた処理方法及び処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-146246
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013034
出願日： 1991年06月18日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】半導体基板等の処理や加工、例えばイオンエッチングやマスクレスドーピング等に用いるイオン粒子を用いた処理方法に関し、凹凸を有する被処理体の表面とイオンを照射する電極との間の距離を制御しながら処理を行うことにより微細な加工を精度良く行うことが可能なイオン粒子を用いた処理方法を提供することを目的とする。【構成】電極14と被処理体11とを離隔したまま、電極14と被処理体11との間に一の極性の電圧を印加してトンネル電流を流し、トンネル電流に基づいて電極14と被処理体11との間の間隔を調整した後、電極14と被処理体11との間に印加する電圧を一の極性の電圧から逆の極性の電圧に切り換えて電界により電極14からイオン粒子を放出し、被処理体11に照射することにより、被処理体11を処理することを含み構成する。
請求項（抜粋）：
電極と被処理体とを離隔したまま、前記電極と前記被処理体との間に一の極性の電圧を印加してトンネル電流を流し、該トンネル電流に基づいて前記電極と前記被処理体との間の間隔を調整した後、前記電極と被処理体との間に印加する電圧を一の極性の電圧から逆の極性の電圧に切り換えて電界により前記電極からイオン粒子を放出して前記被処理体に照射することにより、前記被処理体を処理することを特徴とするイオン粒子を用いた処理方法。
IPC (5件)：
H01J 37/30
, C23C 14/48
, C23F 4/00
, H01L 21/265
, H01L 21/302
