特許

J-GLOBAL ID：200903073325147850

半導体発光装置

発明者： 坂井 久
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361757
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164579
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】発光素子の光を極めて良好に集光させて、所望する強度の光を得ることが可能な、高性能の半導体発光装置を提供する。【解決手段】単結晶シリコンから成る基板1の上面に、化合物半導体の単結晶薄膜から成る発光素子2を主走査方向に複数個、被着・配列させてなる半導体発光装置において、前記発光素子2の上面に該上面全体を覆うようにしてマイクロレンズ6を被着させるとともに、該マイクロレンズ6の有効径内に位置するレンズ表面の曲率半径(R)と前記マイクロレンズ6の最大厚み(Tmax)と前記発光素子上面の主走査方向の幅(W)とを式「0.5≦R/W≦1.0」及び式「0.1≦Tmax/W≦2.0」を満足するように設定する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンから成る基板の上面に、化合物半導体の単結晶薄膜から成る発光素子を主走査方向に複数個、被着・配列させてなる半導体発光装置において、前記発光素子の上面に該上面全体を覆うようにしてマイクロレンズを被着させるとともに、該マイクロレンズの有効径内に位置するレンズ表面の曲率半径(R)と前記マイクロレンズの最大厚み(Tmax)と前記発光素子上面の主走査方向の幅(W)とを下記式?@、?Aを満足するように設定したことを特徴とする半導体発光装置。0.5≦R/W≦1.0・・・?@0.1≦Tmax/W≦2.0・・・?A

Fターム (11件)：

5F041AA06 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA39 ,  5F041CA65 ,  5F041CB22 ,  5F041CB33 ,  5F041EE17 ,  5F041FF13