特許

J-GLOBAL ID：200903073327675780

プラズマCVD法による薄膜の形成方法

発明者： 小金井 昭雄 ,  本宮 一興
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-086673
公開番号（公開出願番号）：特開平9-272978
出願日： 1996年04月09日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD法における上述の問題を引き起こす不安定膜の形成を効果的に防止できる方法を提供することにある。【解決手段】 成膜工程をプラズマを発生させる過程と成膜を行う過程とに分割し、プラズマ発生過程を原料ガスのうちの非成膜性ガスにより行い、プラズマが発生した段階で成膜条件を整えてから原料ガスのうちの成膜性ガスを導入する。

請求項（抜粋）：

減圧領域に導入された原料ガスにプラズマを発生させて該領域内に設けられた基体上に薄膜を成膜させるプラズマCVD法による薄膜の形成方法において、前記減圧領域に前記原料ガスの中で非成膜性の原料ガスを導入して該非成膜性原料ガスからプラズマを発生させてから成膜条件を設定し、その後に前記原料ガスのうちの成膜性原料ガスを該減圧領域内に導入して前記基体上に薄膜を形成することを特徴とするプラズマCVD法による薄膜の形成方法。

IPC (7件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  G11B 7/26 ,  G11B 11/10 541 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 31/04

FI (8件)：

C23C 16/44 A ,  C23C 16/50 ,  G11B 7/26 ,  G11B 11/10 541 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 V