特許

J-GLOBAL ID：200903073328591092

III族窒化物半導体自立基板の製造方法およびIII族窒化物半導体自立基板

発明者： 松枝 敏晴 ,  小林 智浩
出願人/特許権者： 古河機械金属株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-155173
公開番号（公開出願番号）：特開2008-308346
出願日： 2007年06月12日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】下地基板から容易に剥離でき、損傷の低減されたIII族窒化物半導体自立基板を提供する。また、結晶性に優れた大面積のIII族窒化物半導体自立基板を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体自立基板の製造方法が、下地基板上にIII族窒化物半導体層を気相成長させる工程と、前記III族窒化物半導体層から下地基板を除去する工程とを含み、前記下地基板の裏面には下地基板の劈開方向に沿って、前記下地基板全面を横断する様に、予めパターン化した溝形状が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下地基板上にIII族窒化物半導体層を気相成長させる工程と、前記III族窒化物半導体層から前記下地基板を除去する工程とを含む、III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体自立基板を製造する方法において、前記下地基板の裏面には下地基板の劈開方向に沿って、前記下地基板全面を横断するように、予めパターン化した溝形状が形成されていることを特徴とするIII族窒化物半導体自立基板の製造方法。

IPC (7件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/34 ,  H01S 5/02 ,  H01L 33/00

FI (7件)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  H01S5/02 ,  H01L33/00 C

Fターム (35件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA14 ,  5F041AA41 ,  5F041CA64 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045HA11 ,  5F173AH04 ,  5F173AH44 ,  5F173AP04 ,  5F173AR92

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 窒化物半導体から成る単体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-239835   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム単結晶基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-127926   出願人：三星コーニング株式会社
• 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-088294   出願人：日立電線株式会社, 日本電気株式会社