特許
J-GLOBAL ID:200903073328964875
シリコーン膜の熱分解化学蒸着法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 研二 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-503944
公開番号(公開出願番号):特表2001-510877
出願日: 1998年07月27日
公開日(公表日): 2001年08月07日
要約:
【要約】電子衝撃、イオン衝撃およびUV照射の事象を排除するプロセスによってシリコーン様薄膜を生成させる熱分解化学蒸着技術が提供される。本発明により構造体の表面上にシリコーン膜を形成するために、構造体表面は、構造体表面を反応性気相の温度よりも実質的に低い温度に維持しながら、オルガノシリコン分子フラグメントを含む実質的に電気的に中性の反応性気相にさらされる。オルガノシリコン化合物は、その条件が構造体表面の付近でオルガノシリコン分子フラグメントを含む実質的に電気的に中性の反応性気相を生じさせるとして特徴付けられる熱分解環境にさらされる。構造体表面は、熱分解環境の温度よりも実質的に低い温度に維持される。プラズマ環境は、熱分解環境と同時に設定することができ、熱分解環境前または熱分解環境後に更に設定することができる。本発明のシリコーン膜は、機械的に頑丈で、環境的に安定で、感光性である。
請求項(抜粋):
構造体表面を反応性気相の温度よりも実質的に低い温度に維持しながら、オルガノシリコン分子フラグメントを含む実質的に電気的中性の前記反応性気相に前記構造体表面をさらすステップを含む、前記構造体表面上にシリコーン膜を形成する方法。
IPC (3件):
C23C 16/40
, C23C 16/50
, B05D 7/24 302
FI (3件):
C23C 16/40
, C23C 16/50
, B05D 7/24 302 Y
Fターム (22件):
4D075BB21Y
, 4D075BB49Y
, 4D075BB85Y
, 4D075DA01
, 4D075DC22
, 4D075DC30
, 4D075EB42
, 4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030BA44
, 4K030CA04
, 4K030CA07
, 4K030CA11
, 4K030CA12
, 4K030CA13
, 4K030CA14
, 4K030DA08
, 4K030FA03
, 4K030FA10
, 4K030FA14
, 4K030JA10
, 4K030LA11
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