パワー半導体デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：竹沢荘一 , 中馬典嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-275628
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100820
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】パワー半導体デバイスを、通常OFF(エンハンスメントモード)デバイスとしたり、かなり低い閾値電圧を有する通常ON(空乏モード)デバイスとする。【解決手段】 III属窒化物のパワー半導体デバイスに、段形状のヘテロ接合部を設ける。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

III族窒化物の第1半導体層と、第1部分、第2部分、及び前記第1部分と前記第2部分との間で傾斜する第3部分を有するヘテロ接合部を形成するように、前記第1半導体層上に形成されたIII族窒化物の第2半導体層と、前記ヘテロ接合部の前記第1部分に電気接続された第1パワー接触部と、前記ヘテロ接合部の前記第2部分に電気接続された第2パワー接触部と、前記ヘテロ接合部の前記第3部分に設けられたゲート接触部とを備えるパワー半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (6件)：

H01L29/78 301J , H01L29/78 301B , H01L29/78 653B , H01L29/78 618B , H01L29/78 622 , H01L29/80 H

Fターム (73件)：

5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR03 , 5F110AA01 , 5F110AA07 , 5F110AA30 , 5F110BB12 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA29 , 5F140AC00 , 5F140AC02 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB03 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC15 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BF44 , 5F140BH30 , 5F140BH47 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ06 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BJ25 , 5F140BJ28 , 5F140CD08

引用特許：

審査官引用 (5件)

電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-182259 出願人：株式会社東芝
特開平2-266514
特開昭61-089674

全件表示

前のページに戻る