特許

J-GLOBAL ID：200903073333591173

プラズマ処理方法

発明者： 深澤 和夫 ,  野中 龍
出願人/特許権者： 東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-059366
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226291
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 繰り返しのプラズマ処理を行っても、静電チャックが強い吸着力を持続できるプラズマ処理方法を提供する。【構成】 プラズマ処理の終了後、静電チャック10の吸着面を除電することにより、該吸着面に残留していた電荷を取り除く。この除電工程は、反応室に弱いプラズマを生成させること、静電チャック10の吸着面を接地状態にある反応室の天井面に接触させること、静電チャック10の吸着面に載置された被処理体1に対し、接地状態にある搬出手段40を接触させ、一定時間放置すること、等によって実現できる。

請求項（抜粋）：

反応室内で、被処理体を静電チャックに吸着保持した状態にてプラズマ処理する処理工程と、上記処理工程の終了した後、上記被処理体を静電チェックより離脱する工程と、 その後上記静電チャックの吸着面を除電し、または、微小電圧に帯電する工程と、を具備したことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  B23Q 3/15 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-120931
  
• 特開平3-211753
  
• 特開平4-253356