特許
J-GLOBAL ID:200903073336404234

相変化メモリ装置及びそれのプログラム方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-367139
公開番号(公開出願番号):特開2007-018681
出願日: 2005年12月20日
公開日(公表日): 2007年01月25日
要約:
【課題】相変化メモリ装置及びそれのプログラム方法を提供する。【解決手段】本発明に従う相変化メモリ装置は、マルチ状態を有するメモリセルとメモリセルに電流パルスを提供するプログラムパルス発生回路とを含む。プログラムパルス発生回路は、第1のパルスを印加してメモリセルをリセット状態又はセット状態に初期化した後、メモリセルがマルチ状態のうちいずれか一つの状態を有するように第2のパルスを提供する。これにより、メモリセルをリセット状態又はセット状態に初期化した後に所望の状態にプログラムするので以前状態の影響を受けず正確にプログラムできる。【選択図】図4
請求項(抜粋):
相変化メモリ装置のプログラム方法であって、 マルチ状態を有するメモリセルに第1のパルスを印加し、 前記メモリセルがマルチ状態のうちいずれか一つの状態を有するように第2のパルスを印加し、 前記第2のパルスは、プログラムすべきマルチ状態に応じて相異なる波形を有すること を特徴とするプログラム方法。
IPC (1件):
G11C 13/00
FI (1件):
G11C13/00 A
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6,625,054号明細書

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