特許

J-GLOBAL ID：200903073337098072

半導体レーザー

発明者： 岡崎 洋二
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-061648
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261089
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 テーパストライプ型の半導体光増幅器と、この半導体光増幅器の一端面から出射した光を波長選択した上で反射させて前記一端面に戻す波長選択素子とからなる半導体レーザーにおいて、発振波長を可変とした上で、小型化、発振波長の精密なチューニング、そして出力の安定化を実現する。【解決手段】 テーパストライプ型の半導体光増幅器10と、この半導体光増幅器10の一端面10bから出射した光11を波長選択した上で反射させて前記一端面10bに戻す波長選択素子とからなる半導体レーザーにおいて、波長選択素子として、印加された電界の強度に応じて選択波長を変えるもの、例えば、コア20bに等間隔に形成された複数の屈折率変化部20cを有して、このコア20bに入射した光11を波長選択して反射回折させるファイバーグレーティング20を用いる。そして電界印加回路40により、電極31、32を介して屈折率変化部20cに強度を調節可能にして電界を印加する。

請求項（抜粋）：

テーパストライプ型の半導体光増幅器と、この半導体光増幅器の一端面から出射した光を波長選択した上で前記一端面に戻す波長選択素子とからなる半導体レーザーにおいて、前記波長選択素子として、印加された電界の強度に応じて選択波長を変えるものが用いられるとともに、この波長選択素子に強度を調節可能にして電界を印加する手段が設けられたことを特徴とする波長可変半導体レーザー。

IPC (3件)：

H01S 5/062 ,  G02B 6/10 ,  G02F 1/01

FI (3件)：

H01S 3/18 631 ,  G02B 6/10 C ,  G02F 1/01 C

Fターム (26件)：

2H050AA14 ,  2H050AB05X ,  2H050AC82 ,  2H050AC84 ,  2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA03 ,  2H079BA05 ,  2H079CA04 ,  2H079CA07 ,  2H079DA03 ,  2H079EA03 ,  2H079EA12 ,  2H079EB04 ,  2H079EB05 ,  2H079HA04 ,  2H079HA11 ,  2H079KA18 ,  5F073AA63 ,  5F073AA73 ,  5F073AA83 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073AB29 ,  5F073CA05 ,  5F073EA04