特許
J-GLOBAL ID:200903073340927489
固体撮像装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-317833
公開番号(公開出願番号):特開2000-150848
出願日: 1998年11月09日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】 基板の深い領域に発生する信号の隣接画素への漏れ込みを防止することができ、ブルーミングや混色を抑制する。【解決手段】 半導体基板上に、光電変換部と信号走査回路部を含む単位セルを行列二次元状に配置してなる撮像領域と、この撮像領域の各セルからの信号を読み出す信号線とを備えたMOS型固体撮像装置において、半導体基板としてn型Si基板20を用い、この基板20の表面部に第1のpウェル領域21を設け、この第1のpウェル領域21の表面部に該領域21よりもp型不純物濃度の高い第2のpウェル領域31を選択的に設け、光電変換部を第1のpウェル領域21内に形成し、信号走査回路部を第2のpウェル領域31内に形成する。
請求項(抜粋):
半導体基板上に、光電変換部と信号走査回路部を含む単位セルを行列二次元状に配置してなる撮像領域と、この撮像領域の各セルからの信号を読み出す信号線とを備えたMOS型固体撮像装置において、前記半導体基板としてn型基板が用いられ、このn型基板の表面部にpウェル領域が設けられ、このpウェル領域内に前記撮像領域が形成されてなることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 E
Fターム (19件):
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118DD12
, 4M118EA15
, 4M118FA06
, 4M118FA25
, 4M118FA28
, 4M118FA42
, 4M118FA50
, 4M118GD04
, 5C024AA01
, 5C024CA03
, 5C024DA01
, 5C024FA01
, 5C024FA11
, 5C024GA01
, 5C024GA31
引用特許:
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