特許
J-GLOBAL ID：200903073340995280
透明導電膜およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216203
公開番号（公開出願番号）：特開平7-073738
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗値、高光透過率かつエッチング特性の良好な透明導電膜を得る。【構成】 基板上に最初に結晶成長用核となる第1の透明導電膜を成膜し、次いでその上に第2の透明導電膜を前記第1の透明導電膜より高温、高電力で成膜することにより、2層構造の透明導電膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に成膜された結晶成長用の核となる第1の透明導電膜の上に、該核の粒子特性を引き継いだ第2の透明導電膜が積層されてなることを特徴とする透明導電膜。
IPC (4件)：
H01B 5/14
, B32B 9/00
, C23C 14/08
, H01B 13/00 503
