特許

J-GLOBAL ID：200903073341237842

半導体保護装置

発明者： 田島 豊
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-329014
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186230
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、過電圧サージによる被保護内部回路及び保護装置自体の破壊を防止し、またチップ面積を小さくすることを目的とする。【構成】 入力端子1又は電源端子6と低電位端子との間に第1のコンデンサ10と第2のコンデンサ11を直列に接続し、第1のコンデンサ10には抵抗12を並列接続し、第2のコンデンサ11にはプルダウンダイオード14を並列接続し、第1のコンデンサ10と第2のコンデンサ11の接続点を被保護内部回路の入力電極に接続したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

入力端子又は電源端子の何れかと低電位端子との間に第1のコンデンサと第2のコンデンサを直列に接続し、前記第1のコンデンサには抵抗を並列に接続し、前記第2のコンデンサにはプルダウンダイオードを並列に接続し、前記第1のコンデンサと第2のコンデンサの接続点を被保護内部回路の入力電極に接続してなることを特徴とする半導体保護装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 321 H