特許

J-GLOBAL ID：200903073341241521

コンデンサー内蔵複合回路基板

発明者： 山口 泰史 ,  藤岡 芳博 ,  藤崎 昭哉 ,  坂口 逸朗 ,  下 信二郎 ,  藤川 信儀
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236352
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074652
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】MgO、SiO2 、CaO及びBaOから成る高周波特性に優れた絶縁体層と温度補償用誘電体層を同時に焼成でき、温度補償用コンデンサーとして安定した諸特性を有するコンデンサーを内蔵可能とする。【構成】温度補償用誘電体セラミックスを主成分とするコンデンサー部をマグネシア(MgO)、シリカ(SiO2 )、カルシア(CaO)及び酸化バリウム(BaO)とから成るフォルステライト(Mg2 SiO4 )、メルウイナイト(Ca3 MgSi2 O8)、エンスタタイト(MgSiO3 )、モンチセライト(CaMgSiO4 )、アカーマナイト(Ca2 MgSi2 O7 )、またはワルストロマイト(BaCa2 Si3 O9 )の少なくとも一種の結晶相を含有する絶縁体層で挾着し同時焼成して一体化する。

請求項（抜粋）：

温度補償用誘電体セラミックスを主成分とする磁器組成物を誘電体層と該誘電体層の上下面に電極層を設けてコンデンサー部を形成し、該コンデンサー部を絶縁体層で挾着したコンデンサー内蔵複合回路基板において、上記絶縁体層の主成分が、図1に示す下記A、B、C、D、E、Fの各点で囲まれた範囲内のマグネシア(MgO)とシリカ(SiO2 )及びカルシア(CaO)と該マグネシア(MgO)、シリカ(SiO2 )及び、カルシア(CaO)の合計100重量部に対し、1を越え15未満の重量部の酸化バリウム(BaO)とから成ることを特徴とするコンデンサー内蔵複合回路基板。但し、X、Y、Zはそれぞれマグネシア(MgO)、シリカ(SiO2 )及びカルシア(CaO)の重量%を表す。

IPC (3件)：

H01G 4/12 394 ,  C04B 35/16 ,  H01G 4/12 355