特許
J-GLOBAL ID：200903073345625359
SOI基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-247069
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062952
出願日： 1991年08月31日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 SOI基板を研削プレート,もしくは研磨プレート面に貼着したまゝの状態で、加工対象の被薄膜化基板の薄膜厚を非接触的に正確に測定可能とし、かつ当該測定された薄膜厚が所定の規格値に達していない場合には、これを容易に再研削,もしくは再研磨し得るようにする。【構成】 SOI基板面の外周部分にあって、酸化膜を含む被薄膜化基板,もしくは被薄膜化基板の少なくとも一部を除去,または除去相当の形態にして該当する表面部を露出させ、酸化膜を含む被薄膜化基板面と支持体基板の露出面との間,もしくは被薄膜化基板面と酸化膜の露出面との間に所要の段差部を形成させるようにし、かつ当該段差部を基準にして被薄膜化基板の厚さを測定可能にする。
請求項（抜粋）：
支持体シリコン基板に対し、酸化膜を介して被薄膜化シリコン基板を一体的に結合させ、かつ当該被薄膜化シリコン基板を所要厚さまで研削、および研磨して薄膜化するSOI基板の製造方法において、前記被薄膜化シリコン基板の薄膜化が終了する以前に、前記酸化膜を含む当該被薄膜化シリコン基板の外周部の少なくとも一部を選択的に除去し、この除去部分対応に、前記支持体シリコン基板面を露出させて、酸化膜を含む被薄膜化シリコン基板面と、支持体シリコン基板の露出面との間に段差部を形成させ、当該段差部を被薄膜化シリコン基板の研削、および研磨による薄膜化制御のための膜厚測定に用いるようにしたことを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, G01B 11/06
, H01L 21/66
