特許
J-GLOBAL ID：200903073347193790
低歪半導体増幅器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-220164
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069731
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 小型で高効率な低歪半導体増幅器を得る。【構成】 多段増幅器の前段に入力電力に対する利得、通過位相特性が後段と逆特性となる増幅器を用い、後段増幅器の振幅歪、位相歪を前段増幅器で補償することにより、全体として高効率で低歪な増幅器を得る。前段に用いる増幅器としては、バイポーラトランジスタを用いた増幅器、FETのドレインバイアス電圧を抵抗を介して印加する増幅器、デュアルゲートFETを用いた増幅器、これら3種類を組み合わせた増幅器がある。
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子で構成される多段増幅器において、前段増幅器をバイポーラトランジスタを用いた増幅器の1段あるいは多段構成とし、後段増幅器をFET増幅器の1段あるいは多段構成とし、前段増幅器と後段増幅器を縦続接続し、前段増幅器のバイアス条件を後段増幅器の振幅歪および位相歪を補償するように設定したことを特徴とする低歪半導体増幅器。
IPC (2件)：
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