特許

J-GLOBAL ID：200903073350630840

被処理体の処理方法

発明者： 松瀬 公裕
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182009
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086208
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 真空処理のコストを低減すると共にスループットを向上させ、しかも歩留りを高めることができる被処理体の処理方法を提供する。【構成】 本被処理体の処理方法では、第2真空処理室12内で半導体ウエハWにチタン膜を形成した後、この半導体ウエハWを第2予備真空室32内へ移載し、この第2予備真空室32内で窒素雰囲気を形成すると共に半導体ウエハWを加熱し、そのチタン膜を窒化処理を施して窒化チタン膜を形成する。

請求項（抜粋）：

真空処理室内で被処理体に金属膜を形成した後、上記被処理体を予備真空室内へ移載し、この予備真空室内で窒素雰囲気を形成すると共に上記被処理体を加熱し、その金属膜に窒化処理を施すことを特徴とする被処理体の処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-360527
  
• 特開平4-226023
  
• 特開平4-134818