特許

J-GLOBAL ID：200903073358958268

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 本 郷 禎 人 ,  高 田 賢 治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-279301
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086608
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 ゲート長が0.1ミクロン級であっても、高い高周波特性を得ることを可能にする。【解決手段】 基板21と、この基板上に形成された半導体層22,23,24.25,26と、半導体層上に形成されたゲート電極15と、ゲート電極のドレイン側の半導体層上にゲート電極に接するように形成され基板および半導体層よりも熱伝導率の高い材料からなる第1絶縁膜12と、を備えている。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極のドレイン側の前記半導体層上に前記ゲート電極に接するように形成され前記基板および前記半導体層よりも熱伝導率の高い材料からなる第1絶縁膜と、を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

Fターム (18件)：

5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GR12 ,  5F102GR13 ,  5F102GS04 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC16 ,  5F102HC19