特許

J-GLOBAL ID：200903073360486519

酸化物超電導体の製造方法と酸化物超電導体の製造装置

発明者： 山本 一生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020074
公開番号（公開出願番号）：特開平6-234509
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 煩雑な操作を要しない浮遊帯溶融手段で、容易に高い臨界電流密度Jcで電流を流し得る結晶体から成る酸化物超電導体を製造し得る製造方法および製造装置の提供を目的とする。【構成】 製造方法は、酸化物超電導性成分を浮遊帯溶融用加熱源で浮遊帯溶融させ、酸化物超電導性成分を順次単結晶成長させる酸化物超電導線材の製造方法において、前記浮遊帯溶融用加熱源としてライン状に集光されたレーザー光を用いて浮遊帯溶融を行うことを特徴とし、また製造装置は、棒状酸化物超電導性成型体(被処理体)12の両端部を対向して把持する一対の装着部13,13′と、前記装着部13,13′に把持された棒状酸化物超電導性成型体12にライン状に集光したレーザー光15,15′を照射して浮遊帯溶融するレーザー光照射手段と、前記レーザー光および前記装着部13,13′に把持される棒状酸化物超電導性成型体12を、その棒状酸化物超電導性成型体12の軸方向に相対的に移動させる駆動手段とを具備して成ることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

酸化物超電導性成分を浮遊帯溶融用加熱源で浮遊帯溶融させ、酸化物超電導性成分を順次結晶成長させて酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、前記浮遊帯溶融用加熱源としてライン状に集光されたレーザー光を用いて浮遊帯溶融を行うことを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

IPC (6件)：

C01B 13/14 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA