特許
J-GLOBAL ID：200903073368565310
半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342584
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175124
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 青色発光素子用として最適な半導体薄膜を得ること。【構成】 MBE法において,ガス状化合物をあらかじめ加熱して基板面に供給することにより基板上で所定の金属の単体あるいは金属塩の蒸気と反応させる化合物半導体薄膜の製造方法である。【効果】 低温成長により,表面平坦性および結晶性に優れた化合物半導体薄膜を得ることができ,膜厚が1μm以下のGaN薄膜においても青色発光素子を作製することが可能になった。
請求項（抜粋）：
真空中において、あらかじめ加熱したガス状化合物と、固体ソースより蒸発させた金属または金属塩の蒸気を基板面に供給して反応させて、基板上に結晶成長させることを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, C01B 21/06
, H01L 33/00
