特許

J-GLOBAL ID：200903073371167768

不純物ドーパントのSiC中への導入方法、この方法で形成した半導体デバイス及びSiC中へのドーパント拡散源としての高度ドーピング非晶質層の使用

発明者： ハリス,クリストファー ,  コンスタンチノフ,アンドレイ ,  ジャンゼン,エリク
出願人/特許権者： エービービー リサーチ リミテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-530948
公開番号（公開出願番号）：特表平11-503571
出願日： 1996年04月09日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：

【要約】SiCの半導体層(2)へのドーパント導入方法は、低温で半導体層(2)へドーパントをイオン注入する工程a)から成るイオン注入工程a)はドーピング非晶質表面近接層(6)を形成させるように実施し、工程a)の後で表面近接層に続く半導体層の非注入下層中にドーパントが拡散する高温での半導体層の焼鈍工程を実施する。

請求項（抜粋）：

低温で半導体層(2)へドーパントをイオン注入する工程a)を含む、SiCの半導体層(2)へ不純物ドーパントを導入する方法において、イオン注入工程a)はドーピングされた非晶質表面近接層(6)を形成するように実施すること;及び工程a)の後で、表面近接層に続く半導体層の非注入下層の中にドーパントが拡散する高温で半導体層を焼鈍する工程b)を実施することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/861

FI (3件)：

H01L 21/22 E ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/91 F