特許

J-GLOBAL ID：200903073372032262

窒化炭素及びその製造方法

発明者： 小林 哲 ,  森崎 弘 ,  正木 進 ,  川崎 宏一
出願人/特許権者： 株式会社東京電子冶金研究所
代理人 (1件)： 佐々 紘造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-090592
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255314
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体としての性質を有する窒化炭素膜をおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 第2級もしくは第3級アミンおよびアンモニアガスをプラズマで化学的気相成長せしめる。

請求項（抜粋）：

2.0〜3.5eVの光学バンドギャップを有する窒化炭素。

IPC (4件)：

C01B 21/082 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/36

FI (4件)：

C01B 21/082 K ,  C30B 29/38 Z ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/36

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低圧縮性窒化炭素
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-525207   出願人：カーネギーインスチチューションオブワシントン

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Solid State Communications, 1988, Vol.65,No.9, pp.921-923