特許
J-GLOBAL ID：200903073372604835
強誘電性液晶素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306899
公開番号（公開出願番号）：特開平6-160874
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：
【要約】【目的】基板上への液晶の滴下量の制御を容易に行ない、しかも、低粘度状態になる温度に加熱しておいた強誘電性液晶を液晶層中に真空泡を生じさせることなくスメクティック相状態に戻す。【構成】シール材33に連通口33aを設けておき、一方の基板31上に低粘度状態になる温度に加熱した強誘電性液晶LCをその封入量よりも若干多めに滴下し、一対の基板31,32をシール材33を介して重ね合わせてプレスするとともにシール材33を硬化させて両基板31,32を接合した後、大気圧よりも気圧を高くした加圧槽42内において強誘電性液晶LCがスメクティック相状態となる温度に冷却してから、連通口33aを封止する。
請求項（抜粋）：
一対の基板間に強誘電性液晶を封入した強誘電性液晶素子を製造する方法であって、前記一対の基板の少なくとも一方に、液晶封入領域を囲む枠状をなしかつ少なくとも一部に前記液晶封入領域の内外を連通する連通口を設けたシール材を形成しておき、前記一対の基板のいずれか一方の上に低粘度状態になる温度に加熱した強誘電性液晶をその封入量よりも若干多めに滴下し、次いで前記一対の基板を前記シール材を介して重ね合わせて所定の基板間隙になるまでプレスした後、その状態で前記シール材を硬化させて前記一対の基板を接合し、この後、大気圧よりも気圧を高くした槽内において前記強誘電性液晶がスメクティック相状態となる温度に冷却してから、前記連通口を封止することを特徴とする強誘電性液晶素子の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/1341
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1339 505
