特許
J-GLOBAL ID：200903073385389470
圧電/電歪デバイス及び圧電/電歪素子、並びにそれらの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-318073
公開番号（公開出願番号）：特開2004-064038
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】使用環境乃至素子自体の温度変化によらず、若しくは、高温下の使用においても、印加する電界に従った変位を生じ得、温度特性の優れた圧電/電歪デバイスを提供すること。【解決手段】相対向する一対の薄板部12a,12bと、その一対の薄板部12a,12bを支持する固定部14とを具備し、一対の薄板部12a,12bの先端部分に可動部20a,20bが備わり、可動部20a,20bは互いに対向する端面34a,34bを有するとともに、一対の薄板部12a,12bにそれぞれ圧電/電歪素子18a,18bが配設された圧電/電歪デバイス100である。圧電/電歪デバイス100は、少なくとも薄板部12a,12bと圧電/電歪素子18a,18bの両側面が、低熱膨張率材料の被覆膜101で覆われている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
相対向する一対の薄板部と、前記一対の薄板部を支持する固定部とを具備し、前記一対の薄板部の先端部分に可動部が備わり、前記可動部は互いに対向する端面を有するとともに、前記一対の薄板部のうち少なくとも一の薄板部に1以上の圧電/電歪素子が配設された圧電/電歪デバイスであって、
少なくとも前記薄板部と前記圧電/電歪素子の両側面が、低熱膨張率材料の被覆膜で覆われていることを特徴とする圧電/電歪デバイス。
IPC (5件)：
H01L41/09
, H01L41/18
, H01L41/187
, H01L41/22
, H01L41/24
H01L41/08 J
, H01L41/22 Z
, H01L41/22 A
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101C
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101Z
