特許

J-GLOBAL ID：200903073387884397

多層回路基板、その製造方法および電気アセンブリ

発明者： マイケル ジー.リー ,  ウェン-チョウ ビンセント ワン
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-046123
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314257
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 改良された多層回路基板およびこれを製造するための方法を提供する。【解決手段】 多層回路基板前駆体31は、ビルドアッププロセスを用いて形成される。この前駆体31は、内部導電性ポスト16,19、該導電性ポストの一方の端部に結合された内部導電層10および該導電性ポストのまわりに配置された誘電体層12を含んでなる。該前駆体31および該導電性ポスト16はA-Aで切断され、切断されたポストにより側面電気接点構造体を形成する。

請求項（抜粋）：

ビルドアッププロセスを用いて多層回路基板前駆体を形成する段階であって、該多層回路基板前駆体が、内部導電性ポスト、該導電性ポストの片端に結合された内部導電層および該導電性ポストのまわりに配置された誘電体層を含んでいる、段階と、前記多層回路基板前駆体および前記導電性ポストを切断して、切断されたポストにより側面電気接点構造体を形成する段階と、を含んでなる方法。

IPC (4件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/11 ,  H05K 1/14

FI (6件)：

H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 L ,  H05K 3/46 X ,  H05K 1/11 F ,  H05K 1/14 A ,  H01L 23/12 N

Fターム (40件)：

5E317AA22 ,  5E317BB02 ,  5E317BB03 ,  5E317BB04 ,  5E317BB05 ,  5E317BB12 ,  5E317BB13 ,  5E317BB15 ,  5E317GG14 ,  5E344AA04 ,  5E344AA08 ,  5E344BB02 ,  5E344BB03 ,  5E344BB06 ,  5E344CC25 ,  5E344CD02 ,  5E344DD02 ,  5E344DD16 ,  5E344EE12 ,  5E344EE13 ,  5E346AA27 ,  5E346AA29 ,  5E346CC01 ,  5E346CC21 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346CC42 ,  5E346CC54 ,  5E346DD23 ,  5E346DD24 ,  5E346DD32 ,  5E346DD33 ,  5E346DD48 ,  5E346EE39 ,  5E346FF24 ,  5E346HH05 ,  5E346HH07 ,  5E346HH25 ,  5E346HH26